8504409040 80-Polovodičové výkonové moduly sestávající z: – výkonových tranzistorů, – integrovaných obvodů, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – mající provozní napětí nejvýše 600V, – obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor – tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou G)) a vnitřní ovladače, – s efektivní hodnotou (RMS) jmenovitého proudu nejvýše 15,7A – 8504 40 90 40
8504409060 80-Přetlačovaný polovodičový výkonový modul, který tvoří: – výkonové tranzistory, – integrované obvody, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – konfiguraci obvodu, – obsahující buď platformu s přímým ovládáním s provozním napětím vyšším než 600 V, – nebo obsahující platformu s přímým ovládáním s provozním napětím nepřesahujícím 600 V a RMS proudem vyšším než 15,7 A, – nebo obsahující jeden nebo více modulů pro korekci výkonového keoficientu – 8504 40 90 60