8548909043 80-Kontaktní obrazový snímač

8548 90 90-Ostatní

Do této podpoložky patří:
1. elektrické cívky bez magnetických jader, které jsou stejně vhodné pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel, například, pro transformátory čísla 8504 a pro elektromagnety čísla 8505 (uplatnění poznámky 2 c) ke třídě XVI);
2. zpožďovací vedení používaná například v zařízeních pro automatizované zpracování dat nebo v televizních přijímačích;
3. elektronické filtry používané pro selektivní přenos různých frekvencí elektromagnetických, elektromechanických nebo elektroakustických vibrací;
4. prvky z feritu nebo jiných keramických materiálů (například díly používané v cirkulátorech pro přístroje vysílající v ultrakrátkých vlnách (UHF) nebo jako vysokofrekvenční filtry v elektrických vedeních), které jsou elektrickými částmi a součástmi vhodnými stejnou měrou pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel této kapitoly.

8548 90 90 43

8548909048 80-Optické jednotky sestávající alespoň z laserové diody a fotodiody pracující s typickou vlnovou délkou 635 nm nebo větší, avšak nejvýše 815 nm

8548 90 90-Ostatní

Do této podpoložky patří:
1. elektrické cívky bez magnetických jader, které jsou stejně vhodné pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel, například, pro transformátory čísla 8504 a pro elektromagnety čísla 8505 (uplatnění poznámky 2 c) ke třídě XVI);
2. zpožďovací vedení používaná například v zařízeních pro automatizované zpracování dat nebo v televizních přijímačích;
3. elektronické filtry používané pro selektivní přenos různých frekvencí elektromagnetických, elektromechanických nebo elektroakustických vibrací;
4. prvky z feritu nebo jiných keramických materiálů (například díly používané v cirkulátorech pro přístroje vysílající v ultrakrátkých vlnách (UHF) nebo jako vysokofrekvenční filtry v elektrických vedeních), které jsou elektrickými částmi a součástmi vhodnými stejnou měrou pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel této kapitoly.

8548 90 90 48

8548909050 80-Filtry s feromagnetickým jádrem používané k potlačení vysokofrekvenčního hluku v elektronických obvodech, pro výrobu televizních přijímačů a monitorů čísla 8528

8548 90 90-Ostatní

Do této podpoložky patří:
1. elektrické cívky bez magnetických jader, které jsou stejně vhodné pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel, například, pro transformátory čísla 8504 a pro elektromagnety čísla 8505 (uplatnění poznámky 2 c) ke třídě XVI);
2. zpožďovací vedení používaná například v zařízeních pro automatizované zpracování dat nebo v televizních přijímačích;
3. elektronické filtry používané pro selektivní přenos různých frekvencí elektromagnetických, elektromechanických nebo elektroakustických vibrací;
4. prvky z feritu nebo jiných keramických materiálů (například díly používané v cirkulátorech pro přístroje vysílající v ultrakrátkých vlnách (UHF) nebo jako vysokofrekvenční filtry v elektrických vedeních), které jsou elektrickými částmi a součástmi vhodnými stejnou měrou pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel této kapitoly.

8548 90 90 50

8548909060 80-Moduly LCD, – sestávající pouze z jedné nebo více skleněných nebo plastových buněk TFT, – nekombinované s funkcí dotykové obrazovky, – s jednou nebo více deskami s tištěnými spoji s řídicí elektronikou pouze pro adresování pixelů, – též s podsvětlovací jednotkou a – též s invertory

8548 90 90-Ostatní

Do této podpoložky patří:
1. elektrické cívky bez magnetických jader, které jsou stejně vhodné pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel, například, pro transformátory čísla 8504 a pro elektromagnety čísla 8505 (uplatnění poznámky 2 c) ke třídě XVI);
2. zpožďovací vedení používaná například v zařízeních pro automatizované zpracování dat nebo v televizních přijímačích;
3. elektronické filtry používané pro selektivní přenos různých frekvencí elektromagnetických, elektromechanických nebo elektroakustických vibrací;
4. prvky z feritu nebo jiných keramických materiálů (například díly používané v cirkulátorech pro přístroje vysílající v ultrakrátkých vlnách (UHF) nebo jako vysokofrekvenční filtry v elektrických vedeních), které jsou elektrickými částmi a součástmi vhodnými stejnou měrou pro použití ve strojích nebo přístrojích patřících do různých čísel této kapitoly.

8548 90 90 60

8544700000 80-Kabely z optických vláken

8544 70 00-Kabely z optických vláken

Do této podpoložky rovněž patří kabely z optických vláken určené například k použití pro telekomunikace, zhotovené z optických vláken jednotlivě potažených dvojitou vrstvou akrylátového polymeru, umístěných v ochranném obalu. Potah sestává z vnitřního pláště z měkkého akrylátu a vnějšího pláště z tvrdého, různými barvami povrstveného, akrylátu.
Potah jednotlivých optických vláken poskytuje ochranu a celistvost struktury, například ochranou jednotlivého vlákna proti zlomení.
1. jádro optického vlákna (jádro skleněného vlákna)
2. pouzdro optického vlákna (sklo)
3. vnitřní plášť potahu z měkkého akrylátu
4. barevné identifikační označení
5. vnější plášť potahu z tvrdého akrylátu

8544 70

8542326100 20-Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 61

8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 61

8542326900 80-S kapacitou paměti převyšující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 69

8542327500 80-Ostatní

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 75

8542329000 80-Ostatní paměti

8542 32 90-Ostatní paměti

Do této podpoložky patří asociativní paměti (CAM) a feroelektrické paměti.
Asociativní paměti (CAM) jsou asociativní paměťová zařízení. Paměťová místa těchto zařízení jsou určena jejich obsahy nebo částí jejich obsahů, spíše než jejich názvy nebo pozicemi (adresami).
Feroelektrické paměti jsou energeticky nezávislé paměti získané zkombinováním feroelektrického a polovodičového materiálu. Feroelektrický materiál je schopen udržet elektrické polarizace při nepřítomnosti použitého elektrického pole.
Tato zařízení jsou jak elektricky programovatelná, tak i vymazatelná.

8542 32 90