Výsledky hledání pro výraz: pajeni

8542326100 20-Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326900 80-S kapacitou paměti převyšující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 69

8542327500 80-Ostatní

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 75

8536900100 80-Prefabrikované prvky pro elektrické obvody

8536 90 01-Prefabrikované prvky pro elektrické obvody

Do této podpoložky patří prvky připravené k namontování pro přenos elektrické energie. Tyto prvky poskytují určitou míru prostorové flexibility při rozvodu napájení lamp a elektricky poháněných strojů a zařízení. Kontaktní body, přes které je proud dodáván, jsou svorkového nebo kluzného typu.
Typické instalace jsou zobrazeny na nákresu níže:

–

8536 90 01

8536900110 80-Pro použití v určitých typech letadel

8536 90 01-Prefabrikované prvky pro elektrické obvody

Do této podpoložky patří prvky připravené k namontování pro přenos elektrické energie. Tyto prvky poskytují určitou míru prostorové flexibility při rozvodu napájení lamp a elektricky poháněných strojů a zařízení. Kontaktní body, přes které je proud dodáván, jsou svorkového nebo kluzného typu.
Typické instalace jsou zobrazeny na nákresu níže:

–

8536 90 01 10

8536900190 80-Ostatní

8536 90 01-Prefabrikované prvky pro elektrické obvody

Do této podpoložky patří prvky připravené k namontování pro přenos elektrické energie. Tyto prvky poskytují určitou míru prostorové flexibility při rozvodu napájení lamp a elektricky poháněných strojů a zařízení. Kontaktní body, přes které je proud dodáván, jsou svorkového nebo kluzného typu.
Typické instalace jsou zobrazeny na nákresu níže:

–

8536 90 01 90

8507202000 80-Na bázi tekutého elektrolytu

8507 20 20 a 8507 20 80-Ostatní olověné akumulátory

S výjimkou akumulátorů, používaných pro startování pístových motorů (viz podpoložky 8507 10 20 a 8507 10 80) patří do těchto podpoložek elektrické olověné akumulátory uvedené ve vysvětlivkách k HS k číslu 8507, třetím odstavci, bodu 1).
Tyto akumulátory se používají například pro pohon elektrických vozidel a pro napájení telekomunikačních zařízení energií.

–

8507 20 20

8507202010 80-Pro použití v civilních letadlech

8507 20 20 a 8507 20 80-Ostatní olověné akumulátory

S výjimkou akumulátorů, používaných pro startování pístových motorů (viz podpoložky 8507 10 20 a 8507 10 80) patří do těchto podpoložek elektrické olověné akumulátory uvedené ve vysvětlivkách k HS k číslu 8507, třetím odstavci, bodu 1).
Tyto akumulátory se používají například pro pohon elektrických vozidel a pro napájení telekomunikačních zařízení energií.

–

8507 20 20 10

8507202090 80-Ostatní

8507 20 20 a 8507 20 80-Ostatní olověné akumulátory

S výjimkou akumulátorů, používaných pro startování pístových motorů (viz podpoložky 8507 10 20 a 8507 10 80) patří do těchto podpoložek elektrické olověné akumulátory uvedené ve vysvětlivkách k HS k číslu 8507, třetím odstavci, bodu 1).
Tyto akumulátory se používají například pro pohon elektrických vozidel a pro napájení telekomunikačních zařízení energií.

–

8507 20 20 90