Výsledky hledání pro výraz: páje

8542326100 10-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E$2PROM), včetně Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 20-Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326900 80-S kapacitou paměti převyšující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 69

8542327500 80-Ostatní

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 75

8537109100 10-Ostatní

8537 10 91-Programovatelné paměťové řídící prvky

Do této podpoložky patří panelové skříňky, které obsahují aplikační paměť pro elektrické řízení strojů. Jsou vybaveny nejen zařízením čísla 8535 nebo 8536 (například relé), ale také, například tranzistory nebo triaky čísla 8541 jako spínacími zařízeními a které, kromě těchto spínacích prvků, mají rovněž mikroprocesory (například pro logické zpracování a řízení vstupů a výstupů), rozhraní (interface) a napájecí jednotku (proudový zdroj).

–

8537 10 91

8537109100 80-Programovatelné paměťové řídicí prvky

8537 10 91-Programovatelné paměťové řídící prvky

Do této podpoložky patří panelové skříňky, které obsahují aplikační paměť pro elektrické řízení strojů. Jsou vybaveny nejen zařízením čísla 8535 nebo 8536 (například relé), ale také, například tranzistory nebo triaky čísla 8541 jako spínacími zařízeními a které, kromě těchto spínacích prvků, mají rovněž mikroprocesory (například pro logické zpracování a řízení vstupů a výstupů), rozhraní (interface) a napájecí jednotku (proudový zdroj).

–

8537 10 91

8537109110 80-Pro použití v určitých typech letadel

8537 10 91-Programovatelné paměťové řídící prvky

Do této podpoložky patří panelové skříňky, které obsahují aplikační paměť pro elektrické řízení strojů. Jsou vybaveny nejen zařízením čísla 8535 nebo 8536 (například relé), ale také, například tranzistory nebo triaky čísla 8541 jako spínacími zařízeními a které, kromě těchto spínacích prvků, mají rovněž mikroprocesory (například pro logické zpracování a řízení vstupů a výstupů), rozhraní (interface) a napájecí jednotku (proudový zdroj).

–

8537 10 91 10

8537109130 10-Ostatní

8537 10 91-Programovatelné paměťové řídící prvky

Do této podpoložky patří panelové skříňky, které obsahují aplikační paměť pro elektrické řízení strojů. Jsou vybaveny nejen zařízením čísla 8535 nebo 8536 (například relé), ale také, například tranzistory nebo triaky čísla 8541 jako spínacími zařízeními a které, kromě těchto spínacích prvků, mají rovněž mikroprocesory (například pro logické zpracování a řízení vstupů a výstupů), rozhraní (interface) a napájecí jednotku (proudový zdroj).

–

8537 10 91 30

8537109130 80-Kontrolní modul na zpracování a vyhodnocování údajů z přístrojové desky, pracující prostřednictvím protokolu CAN-BUS, který obsahuje alespoň: • mikroprocesorová relé, • krokový motor, • elektricky vymazatelnou programovatelnou paměť pouze pro čtení (EEPROM) • další pasivní prvky (jako například konektory, diody, stabilizátor napětí, rezistory, kondenzátory, tranzistory), o napětí 13,5 V

8537 10 91-Programovatelné paměťové řídící prvky

Do této podpoložky patří panelové skříňky, které obsahují aplikační paměť pro elektrické řízení strojů. Jsou vybaveny nejen zařízením čísla 8535 nebo 8536 (například relé), ale také, například tranzistory nebo triaky čísla 8541 jako spínacími zařízeními a které, kromě těchto spínacích prvků, mají rovněž mikroprocesory (například pro logické zpracování a řízení vstupů a výstupů), rozhraní (interface) a napájecí jednotku (proudový zdroj).

–

8537 10 91 30