8529906575 80-Moduly tvořené alespoň polovodičovými čipy pro: • vytváření řídících signálů pro adresování pixelů nebo • řízení adresovacích pixelů

8529 90 20 až 8529 90 97-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. číselníky;
2. ladicí bloky;
3. clony pro televizní kamery;
4. tak zvané adaptéry PAL-SECAM. Jde o dekodérové desky (desky s tištěnými obvody osazené elektrickými komponenty) pro následné zabudování do televizních přijímačů určených pro příjem signálů PAL, aby tyto přijímače mohly být použity pro dvojí příjem signálů PAL/SECAM.
Do těchto podpoložek nepatří vlnovody (zařazené jako trubice podle materiálu, ze kterého jsou vyrobeny).

8529 90 65-Elektronické sestavy

Viz vysvětlivky k podpoložce 8443 99 10.

8529 90 65 75

8523000000 80-Disky, pásky, energeticky nezávislá polovodičová paměťová zařízení, „čipové karty“ a jiná média pro záznam zvuku nebo jiného fenoménu, též nahraná, včetně matric a galvanických otisků pro výrobu disků, avšak kromě výrobků kapitoly 37

8523-Disky, pásky, energeticky nezávislá polovodičová paměťová zařízení, „čipové karty“ a jiná média pro záznam zvuku nebo jiného fenoménu, též nenahraná, včetně matric a galvanických otisků pro výrobu disků, avšak kromě výrobků kapitoly 37

Předkládají-li se média podle tohoto čísla společně s jiným zbožím, použijí se pro zařazení tyto zásady:
1. pokud média a jiné zboží tvoří sady v balení pro drobný prodej podle všeobecného pravidla 3 b) pro výklad kombinované nomenklatury, je třeba sadu zařadit s tím, že se použije uvedené pravidlo, nebo
2. pokud média a jiné zboží netvoří sadu v balení pro drobný prodej podle všeobecného pravidla 3 b) pro výklad kombinované nomenklatury, je třeba média zařadit do vlastní náležité podpoložky.

8523

8504409040 80-Polovodičové výkonové moduly sestávající z: – výkonových tranzistorů, – integrovaných obvodů, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – mající provozní napětí nejvýše 600V, – obsahující nejvýše tří elektrické výstupy, z nichž každý obsahuje dva výkonové spínače (buď MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor – tranzistory řízené elektrickým polem z polovodičů na bázi oxidů kovů) nebo IGBT (Insulated Gate Bi-polar Transistors – bipolární tranzistory s izolovanou elektrodou G)) a vnitřní ovladače, – s efektivní hodnotou (RMS) jmenovitého proudu nejvýše 15,7A

8504 40 90 40

8504409060 80-Přetlačovaný polovodičový výkonový modul, který tvoří: – výkonové tranzistory, – integrované obvody, – též obsahující diody a též obsahující termistory, – konfiguraci obvodu, – obsahující buď platformu s přímým ovládáním s provozním napětím vyšším než 600 V, – nebo obsahující platformu s přímým ovládáním s provozním napětím nepřesahujícím 600 V a RMS proudem vyšším než 15,7 A, – nebo obsahující jeden nebo více modulů pro korekci výkonového keoficientu

8504 40 90 60

8486000000 80-Stroje, přístroje a zařízení používané výhradně nebo hlavně pro výrobu polovodičových ingotů (boules) nebo destiček, polovodičových součástek, elektronických integrovaných obvodů nebo plochých panelových displejů; stroje, přístroje a zařízení specifikované v poznámce 9 C) k této kapitole; části, součásti a příslušenství

8486-Stroje, přístroje a zařízení používané výhradně nebo hlavně pro výrobu polovodičových ingotů (boules) nebo destiček, polovodičových součástek, elektronických integrovaných obvodů nebo plochých panelových displejů; stroje, přístroje a zařízení specifikované v poznámce 9 C) k této kapitole; části, součásti a příslušenství

Do tohoto čísla mimo jiné nepatří:
a) stroje a zařízení pro výrobu desek s tištěnými obvody, jak jsou definovány v poznámce 5 ke kapitole 85;
b) elektrické stroje a zařízení pro testování destiček nebo integrovaných obvodů elektrickým měřením a pro detekci a lokalizaci poruch, včetně strojů a zařízení, které jsou vybaveny zařízením na označování poruch nebo třídicím zařízením, jež třídí odzkoušené výrobky do specifických úložných zásobníků (kapitola 90).

8486