9027300000 80-Spektrometry, spektrofotometry a spektrografy využívající optické záření (ultrafialové, viditelné, infračervené)

9027 30 00-Spektrometry, spektrofotometry a spektrografy využívající optické záření (ultrafialové, viditelné, infračervené)

Do této podpoložky patří elektronická zařízení řízená mikroprocesorem (vícekanálové optické analyzátory) pro měření a analýzu vlnových délek optických signálů pro spektrální analýzy. Vlnové délky optických signálů, měřené detektory, se převádějí na digitální elektrické signály a porovnávají se s referenčními hodnotami (analyzovanými). Výsledek porovnání vyhodnocuje počítač a zobrazuje se na vnějších monitorech, které lze k těmto zařízením připojit.

9027 30

9027500000 80-Ostatní přístroje a zařízení využívající optické záření (ultrafialové, viditelné, infračervené)

9027 50 00-Ostatní přístroje a zařízeni využívající optické záření (ultrafialové, viditelné, infračervené)

Do této podpoložky patří elektronická zařízení používaná v chemických laboratořích nemocnic pro plně automatické rozbory krevního séra. V podstatě se skládají z vlastního analyzátoru (se zařízením pro přípravu vzorku, s dávkovacím ústrojím činidel a fotometrickým měřícím systémem, který používá halogenovou lampu jako světelný zdroj a fotodiody jako detektory), kontrolního a vyhodnocovacího zařízení (s mikroprocesory a obrazovkou pro zobrazování výsledků měření) a tiskárny pro záznam výsledků. Všechna tato tři zařízení jsou propojena elektrickými kabely.

9027 50

8542327500 80-Ostatní

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

8542 32 75