–
8544 20 00 10
–
8544 30 00 10
–
8544 30 00 30
8543 70 90-Ostatní
Do této podpoložky patří:
1. elektrostatická zařízení (například pro semišovací stroje);
2. elektroluminiscenční zařízení, většinou ve formě pásů, desek nebo panelů;
3. termoelektrické generátory sestávající z termoelektrického sloupu, který obsahuje proměnný počet termočlánků a tepelného zdroje (např. plynného butan), produkující stejnosměrný proud Seebeckovým efektem;
4. eliminátory statické elektřiny;
5. demagnetizační zařízení;
6. generátory rázových vln;
7. digitální zapisovače letových dat (letové zapisovače) ve formě elektronických přístrojů odolávajících požáru a nárazu pro nepřetržitý záznam specifických letových údajů za letu;
8. bezdrátová infračervená zařízení pro dálkové ovládání televizních přijímačů, videorekordérů nebo jiných elektrických zařízení;
9. elektronická zařízení pro zvukové efekty používaná jako periferní zařízení pro elektrické kytary, která vytvářejí rozličné zvukové efekty (například duplikace zvuku, zkreslování zvuku, ozvěny). Tato zařízení nejsou umístěna v kytaře, ale jsou zapojena mezi kytarou a zesilovačem výkonu;
10. elektronická čtecí zařízení pro osoby s postižením zraku. Tato zařízení obsahují v jednom uzavření kameru, která snímá originální text (například noviny nebo knihu) a monitor, který tento text reprodukuje ve zvětšené formě.
Do této podpoložky rovněž patří malá elektronická zařízení nenamontovaná na základní desce (včetně tak zvaných „minipočítačů“), která lze použít pro tvorbu slov a vět, jež jsou překládány do zvoleného cizího jazyka, a to v závislosti na paměťových modulech použitých s těmito zařízeními. Mají alfanumerickou klávesnici a pravoúhlý displej. Do této podpoložky však nepatří podobná zařízení s výpočetními funkcemi (číslo 8470).
Do této podpoložky nepatří:
a) elektrostatické filtry a elektromagnetické čističe vody (číslo 8421);
b) ultrafialová ozařovací zařízení pro zpracování mléka (číslo 8434);
c) zařízení pro čištění různých předmětů ultrazvukem (zejména kovových částí a součástí) a ultrazvukové generátory (číslo 8479);
d) ultrazvuková svářecí zařízení (číslo 8515);
e) ultrafialová ozařovací zařízení pro lékařské účely, i když je nemusí používat odborník (číslo 9018);
f) elektrické regulátory pro regulaci elektrických nebo neelektrických proměnných, patřící do čísla 9032.
–
8543 70 90 10
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 61
8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM
E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).
–
8542 32 61