Výsledky hledání pro výraz: šek

8542326100 10-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E$2PROM), včetně Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 20-Flash E$2PROM

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326100 80-S kapacitou paměti nepřesahující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 61

8542326900 80-S kapacitou paměti převyšující 512 Mbitů

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 69

8542327500 80-Ostatní

8542 32 61 až 8542 32 75-Permanentní programovatelné paměti, vymazatelné elektricky (E 2 PROM), včetně Flash E 2 PROM

E 2 PROM jsou obecně paměti s mazatelnými bajty.
Flash E 2 PROM jsou paměti, které jsou rovněž nazývány „Flash paměti“, „Flash EPROM“ nebo „Flash EEPROM“.
Flash paměti mohou být založeny na technologii EPROM nebo E 2 PROM a jsou elektricky vymazatelné, buď zcela (celý obsah najednou) nebo po sektoru (obsah stránky nebo bloku).
Programování, čtení a vymazání těchto pamětí lze uskutečnit při dvojitém napájení nebo jednoduchém napájení.
Flash paměti založené na technologii EPROM mají strukturu pole tvořenou jednou tranzistorovou buňkou.
Flash paměti založené na technologii E 2 PROM mají strukturu pole tvořenou dvěma nebo více tranzistorovými buňkami nebo jednou tranzistorovou buňkou kombinovanou s jiným tranzistorem na sektor (stránku nebo blok). Tento poslední typ se navíc liší od pamětí založených na technologii EPROM, protože obsahují několik E 2 PROM charakteristických prvků (např. E 2 PROM nastavení příkazu).

–

8542 32 75

8542391000 80-Zboží specifikované v poznámce 8 b) 3) k této kapitole

8542 39 10 a 8542 39 90-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. plně zakázkové logické obvody, které jsou definovány jedním uživatelem a jsou pro něj vyrobeny. Výrobní proces vyžaduje pracovní postup a umístění buněk (logické členy), za použití plně zakázkových difúzních masek. Plně zakázkové logické obvody jsou určeny k plnění požadovaných specifických funkcí. Jsou známé jako integrované obvody pro specifické použití, tak zvané ASIC;
2. hradlová pole, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z pevného a pravidelného uspořádání nepropojených logických prvků (tranzistorových buněk z, například, AND-, NAND-, OR- nebo NOR-hradel). Hradlová pole jsou naprogramována v souladu s uživatelem specifikovaným propojením těchto logických prvků jedním nebo více metalizovanými vzory (směrovými předlohami);
3. standardní buňky, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z uživatelem specifikovaného uspořádání předem definovaných podobvodů a pevných podobvodů. Tyto podobvody mohou obsahovat jakoukoliv integrovanou funkci (např. logickou funkci nebo paměťovou funkci);
4. programovatelné logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z pevných logických prvků. Konečná funkce těchto obvodů je stanovena uživatelem zvětšením přepalování nebo elektrickým programováním vzájemných propojení mezi logickými prvky;
5. standardní logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z méně než 150 logických hradel (např. AND, NAND, OR, NOR). Tato zařízení mohou integrovat několik funkcí nebo sad stejných a nezávislých funkcí;
6. obvody rozhraní, což jsou integrované obvody, které vykonávají propojovací funkci (např. převodem kódu, převodem mezi bitově sériovým a bitově paralelním protokolem nebo synchronizací) k vzájemnému propojení programů, integrovaných obvodů, periferních jednotek nebo systémů s různými charakteristikami.
7. mikroperiferní zařízení, což jsou integrované obvody, které vykonávají specifické funkce jako doplněk k mikroprocesorům, mikrořadičům nebo mikropočítačům a zlepšují jejich externí komunikační a řídicí funkce a externí funkce rozhraní.
Technické specifikace mikroperiferního zařízení jednoznačně vyjadřují jejich spojitost s mikroprocesorem, mikrořadičem nebo mikropočítačem a nutnost přiřazení k nim.
Komunikační a řídicí vlastnosti a vlastnosti rozhraní mohou být tvořeny řídicími jednotkami sběrnice, řídicími jednotkami paměti (řídicí jednotky DRAM, jednotky řízení paměti (MMU), řídicí člen přímého přístupu do paměti) nebo řídicími jednotkami rozhraní periferního zařízení (řídicí jednotky grafických zařízení, řídicí jednotky lokální počítačové sítě, univerzální asynchronní přijímací/vysílací řídicí jednotky, řídicí jednotky klávesnice, řídicí jednotky velkokapacitní paměti);
8. inteligentní silové obvody, což jsou integrované analogové obvody, které kombinují digitální a analogové obvody (silové tranzistory) k řízení logických výstupních signálů a silových výstupních signálů. Tato zařízení jsou schopna zajistit například vnitřní ochranu proti ztrátám energie, poruchám řízení nebo diagnostické schopnosti.
Do těchto podpoložek nepatří programovatelné permanentní paměti (PROM) (podpoložka 8542 32 90).

8542 39 10-Zboží specifikované v poznámce 8 b) 3) k této kapitole

Viz vysvětlivky k HS k číslu 8542, část III).

–

8542 39 10

8542399000 80-Ostatní

8542 39 10 a 8542 39 90-Ostatní

Do těchto podpoložek patří:
1. plně zakázkové logické obvody, které jsou definovány jedním uživatelem a jsou pro něj vyrobeny. Výrobní proces vyžaduje pracovní postup a umístění buněk (logické členy), za použití plně zakázkových difúzních masek. Plně zakázkové logické obvody jsou určeny k plnění požadovaných specifických funkcí. Jsou známé jako integrované obvody pro specifické použití, tak zvané ASIC;
2. hradlová pole, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z pevného a pravidelného uspořádání nepropojených logických prvků (tranzistorových buněk z, například, AND-, NAND-, OR- nebo NOR-hradel). Hradlová pole jsou naprogramována v souladu s uživatelem specifikovaným propojením těchto logických prvků jedním nebo více metalizovanými vzory (směrovými předlohami);
3. standardní buňky, což jsou integrované logické obvody, které sestávají z uživatelem specifikovaného uspořádání předem definovaných podobvodů a pevných podobvodů. Tyto podobvody mohou obsahovat jakoukoliv integrovanou funkci (např. logickou funkci nebo paměťovou funkci);
4. programovatelné logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z pevných logických prvků. Konečná funkce těchto obvodů je stanovena uživatelem zvětšením přepalování nebo elektrickým programováním vzájemných propojení mezi logickými prvky;
5. standardní logické obvody, což jsou integrované obvody, které sestávají z méně než 150 logických hradel (např. AND, NAND, OR, NOR). Tato zařízení mohou integrovat několik funkcí nebo sad stejných a nezávislých funkcí;
6. obvody rozhraní, což jsou integrované obvody, které vykonávají propojovací funkci (např. převodem kódu, převodem mezi bitově sériovým a bitově paralelním protokolem nebo synchronizací) k vzájemnému propojení programů, integrovaných obvodů, periferních jednotek nebo systémů s různými charakteristikami.
7. mikroperiferní zařízení, což jsou integrované obvody, které vykonávají specifické funkce jako doplněk k mikroprocesorům, mikrořadičům nebo mikropočítačům a zlepšují jejich externí komunikační a řídicí funkce a externí funkce rozhraní.
Technické specifikace mikroperiferního zařízení jednoznačně vyjadřují jejich spojitost s mikroprocesorem, mikrořadičem nebo mikropočítačem a nutnost přiřazení k nim.
Komunikační a řídicí vlastnosti a vlastnosti rozhraní mohou být tvořeny řídicími jednotkami sběrnice, řídicími jednotkami paměti (řídicí jednotky DRAM, jednotky řízení paměti (MMU), řídicí člen přímého přístupu do paměti) nebo řídicími jednotkami rozhraní periferního zařízení (řídicí jednotky grafických zařízení, řídicí jednotky lokální počítačové sítě, univerzální asynchronní přijímací/vysílací řídicí jednotky, řídicí jednotky klávesnice, řídicí jednotky velkokapacitní paměti);
8. inteligentní silové obvody, což jsou integrované analogové obvody, které kombinují digitální a analogové obvody (silové tranzistory) k řízení logických výstupních signálů a silových výstupních signálů. Tato zařízení jsou schopna zajistit například vnitřní ochranu proti ztrátám energie, poruchám řízení nebo diagnostické schopnosti.
Do těchto podpoložek nepatří programovatelné permanentní paměti (PROM) (podpoložka 8542 32 90).

–

8542 39 90

8539410000 10-Ultrafialové nebo infračervené žárovky a výbojky; obloukovky

8539 41 00 a 8539 49 00-Ultrafialové nebo infračervené žárovky a výbojky; obloukovky

Do těchto podpoložek patří:
1. ultrafialové trubice, žárovky a výbojky. Kromě použití uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části D), prvním odstavci, lze uvést tyto:
a) aktinicko-chemický tisk;
b) vitaminizace;
c) sterilizace;
d) fotochemie;
e) výroba ozónu.
2. infračervené žárovky, výbojky a trubice. Kromě použití uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části D), druhém odstavci, lze uvést tyto:
a) vyhřívání prostoru;
b) zařízení pro infračervené emitory (například v přístrojích na ochranu proti krádeži);
c) vědecký výzkum (například spektrální analýza).
3. obloukovky popsané ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části E).
Obloukovky s uhlíkovou elektrodou se instalují, například v kinematografických projekčních zařízeních čísla 9007 nebo se používají v zařízeních pro reprodukci dokumentů.
Do podpoložky 8539 41 00 patří elektrické obloukovky vybavené speciálními nosiči a také pohyblivá světelná zařízení, sestávající z jedné nebo více obloukovek namontovaných na mobilním nosiči, určené pro použití zejména ve fotografických nebo filmových studiích.
Do těchto podpoložek nepatří:
a) luminiscenční diody (číslo 8541);
b) elektroluminiscenční zařízení, obvykle ve formě pásků, desek nebo panelů, založená na elektroluminiscenčních látkách (např. sirník zinečnatý) umístěných mezi dvěma vrstvami vodivého materiálu (číslo 8543).

–

8539 41

8539410000 80-Obloukovky

8539 41 00 a 8539 49 00-Ultrafialové nebo infračervené žárovky a výbojky; obloukovky

Do těchto podpoložek patří:
1. ultrafialové trubice, žárovky a výbojky. Kromě použití uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části D), prvním odstavci, lze uvést tyto:
a) aktinicko-chemický tisk;
b) vitaminizace;
c) sterilizace;
d) fotochemie;
e) výroba ozónu.
2. infračervené žárovky, výbojky a trubice. Kromě použití uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části D), druhém odstavci, lze uvést tyto:
a) vyhřívání prostoru;
b) zařízení pro infračervené emitory (například v přístrojích na ochranu proti krádeži);
c) vědecký výzkum (například spektrální analýza).
3. obloukovky popsané ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části E).
Obloukovky s uhlíkovou elektrodou se instalují, například v kinematografických projekčních zařízeních čísla 9007 nebo se používají v zařízeních pro reprodukci dokumentů.
Do podpoložky 8539 41 00 patří elektrické obloukovky vybavené speciálními nosiči a také pohyblivá světelná zařízení, sestávající z jedné nebo více obloukovek namontovaných na mobilním nosiči, určené pro použití zejména ve fotografických nebo filmových studiích.
Do těchto podpoložek nepatří:
a) luminiscenční diody (číslo 8541);
b) elektroluminiscenční zařízení, obvykle ve formě pásků, desek nebo panelů, založená na elektroluminiscenčních látkách (např. sirník zinečnatý) umístěných mezi dvěma vrstvami vodivého materiálu (číslo 8543).

–

8539 41

8539490000 80-Ostatní

8539 41 00 a 8539 49 00-Ultrafialové nebo infračervené žárovky a výbojky; obloukovky

Do těchto podpoložek patří:
1. ultrafialové trubice, žárovky a výbojky. Kromě použití uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části D), prvním odstavci, lze uvést tyto:
a) aktinicko-chemický tisk;
b) vitaminizace;
c) sterilizace;
d) fotochemie;
e) výroba ozónu.
2. infračervené žárovky, výbojky a trubice. Kromě použití uvedených ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části D), druhém odstavci, lze uvést tyto:
a) vyhřívání prostoru;
b) zařízení pro infračervené emitory (například v přístrojích na ochranu proti krádeži);
c) vědecký výzkum (například spektrální analýza).
3. obloukovky popsané ve vysvětlivkách k HS k číslu 8539, části E).
Obloukovky s uhlíkovou elektrodou se instalují, například v kinematografických projekčních zařízeních čísla 9007 nebo se používají v zařízeních pro reprodukci dokumentů.
Do podpoložky 8539 41 00 patří elektrické obloukovky vybavené speciálními nosiči a také pohyblivá světelná zařízení, sestávající z jedné nebo více obloukovek namontovaných na mobilním nosiči, určené pro použití zejména ve fotografických nebo filmových studiích.
Do těchto podpoložek nepatří:
a) luminiscenční diody (číslo 8541);
b) elektroluminiscenční zařízení, obvykle ve formě pásků, desek nebo panelů, založená na elektroluminiscenčních látkách (např. sirník zinečnatý) umístěných mezi dvěma vrstvami vodivého materiálu (číslo 8543).

–

8539 49